SI4151DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
Deutsch
Artikelnummer: | SI4151DY-T1-GE3 |
---|---|
Hersteller / Marke: | Vishay / Siliconix |
Teil der Beschreibung.: | P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET SO-8 |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
---|---|
1+ | $1.24 |
10+ | $1.11 |
100+ | $0.8651 |
500+ | $0.7146 |
1000+ | $0.5642 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±25V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | 8-SOIC |
Serie | TrenchFET® Gen IV |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5mOhm @ 10A, 10V |
Verlustleistung (max) | 3.1W (Ta), 5.6W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3250 pF @ 15 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 87 nC @ 10 V |
Typ FET | P-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 15.2A (Ta), 20.5A (Tc) |
SI4136XM-BT SI
AILI TSSOP/24
MOSFET P-CHANNEL 30V 25.3A 8SO
SI4156DY-T1-E3 VISHAY
SI4136XM-GTR SILICON
MOSFET N-CH 30V 24A 8SO
VISHAY SOP8
MOSFET N-CH 40V 36A 8SO
SI4156DY VISHAY
P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET SO-8
SOP
BOARD EVALUATION FOR SI4136
SI415 VISHAY
P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET SO-8
MOSFET P-CHANNEL 30V 25.3A 8SO
MOSFET N-CH 40V 36A 8-SOIC
VISHAY SOP-8
MOSFET N-CH 20V 46A 8SO
2024/01/20
2024/05/16
2023/12/21
2024/04/9
SI4151DY-T1-GE3Vishay Siliconix |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|